Transistorzündanlagen
Quelle: ZF

Transistorzündanlagen

[14.07.2016]

Mit Transistoren lassen sich größere Ströme trägheitslos schalten, wobei der Unterbrecher nur den Basisstrom des Transistors steuert. Siliziumtransistoren haben gegenüber Germaniumtransistoren eine höhere zulässige Sperrspannung und Betriebstemperatur, benötigen aber wegen der geringeren Stromverstärkung einen höheren Steuerstrom. Für die Transistorzündung. werden Germaniumtransistoren verwendet. Wegen der niedrigen zulässigen Temperatur sind besondere Maßnahmen zur Wärmeableitung (Kühlrippen) notwendig; die niedrige zulässige Sperrspannung berücksichtigen schaltungstechnische Vorkehrungen. Durch Reihenschaltung zweier Transistoren lässt sich z. B. die zulässige Primärspannung gegenüber dem Einzeltransistor etwa verdoppeln. So genannte Zener-Dioden schützen vor Überschreitung der zulässigen Sperrspannung. Die Funkenzahl pro Zeiteinheit wird wie bei der transistorlosen Zündung durch das dynamische Verhalten des Unterbrechers nach oben begrenzt. Eine größere Funkenzahl lässt die kontaktlos gesteuerte Transistorzündung zu. Das Auslösen der Zündvorgänge kann durch magnetische Geber, Hall-Generatoren u. ä. erfolgen. Magnetische Geber lassen sich direkt mit der Kurbelwelle verbinden. Das Steuersignal des magnetischen Gebers gelangt in eine Kippstufe (Kippgenerator), die elektronisch den Basisstrom der Transistorzündung schaltet.